朱永丹博士在阻变存储器研究领域取得系列进展
发布时间:2022-03-23 点击量:869 来源: 作者:作者:王晓敏 审核人:向军
近日,Applied Physics Letters在线发表了我院朱永丹博士在阻变存储器领域最新研究成果:Resistive switching and photovoltaic response characteristics for the BaTiO3/Nb:SrTiO3 heterostructure, Appl. Phys. Lett. 120, 103504 (2022),这也是继朱永丹博士2021年发表Study of resistive switching, photoresponse, and magnetism modulation in the Pt/Co3O4/Nb:SrTiO3 heterostructure, Appl. Phys. Lett. 118, 153501 (2021)的又一力作。
在大数据和人工智能的全面发展时代,信息存储与数据计算所依赖的高性能存储器凭借其高密度、高速度、低功耗、可三维集成等优势成为学术界和产业界的研究热点。朱永丹博士利用脉冲激光沉积制备Pt/BaTiO3/Nb:SrTiO3和Pt/Co3O4/Nb:SrTiO3相关器件,测试其稳定性、开关比和多级阻变性能,提出利用阻变可调控本征物性,同时利用光照可调控阻变性能,这为阻变研究增加了新的维度,为进一步明晰阻变机制以及多维存储提供了新的思路。
上述工作获得国家自然科学基金(11964009)的资助。
文章链接:
1、https://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/5.0083465
2、https://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/5.0033427